微納米芯片光刻系統

   微納米芯片光刻系統，本機統針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻系統。

   公司產品涵蓋金屬材料檢測與非金屬材料檢測，品種達一百多個。土木工程類高校用到的：大型多功能結構試驗系統、巖土工程試驗系統、自平衡反力架、力學模型試驗系統、電液伺服疲勞系統、高溫高壓應力腐蝕試驗系統、千斤頂檢定裝置等。另有全系列產品：電子wanneng試驗機系列；液壓wanneng試驗機系列；壓力試驗機系列；扭轉試驗機；彈簧試驗機；沖擊試驗機、摩擦磨損試驗機、鋼絞線錨固松弛試驗機；電纜繩索臥式拉力機系列；動靜疲勞試驗機系列、橡膠支座壓剪試驗機系列；大噸位力學加載壓力機；飛機起落架檢測系列；絕緣子檢測系列；特殊定制大型試驗系統。國家電網：風電葉片疲勞加載綜合測試系統、風電機組葉片疲勞加載綜合測試系統、風電葉片雙軸疲勞加載系統、風電葉片面向旋轉疲勞加載系統、風電葉片兩點疲勞加載系統等。

一、微納米芯片光刻系統主要用途

⒈ 本機針對各大專院校、企業及科研單位，對光刻機使用特性研發的一種高精度光刻機。

⒉ 由于本機找平機構先進，找平力小、使本機不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本機為單面對準、單面曝光。

二、技術參數

1.曝光時間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)；
2.365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環；
3.聲控功率警報裝置可防止系統功率超過設定指標；
4.有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準直透鏡光線偏差半角:<1.84度；
6.波長濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源

12.主要配置：6“，8"光源系統，
13.手動系統，半自動系統。
14..CCD或顯微鏡對準系統。
15.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
16.支持背后對準及MEMS工藝要求。
17.主要性能指標：光強均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。區域，--<±2% over 4"區域，--<±3% over 6"區域。

三、主要構成：主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場顯微鏡顯示系統、曝光頭、氣動系統、真空管路系統、直聯式無油真空泵、防震工作臺和附件等組成。

四、主要功能特點

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.結構先進：具有半球式找平機構和可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構。

3.操作簡便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實現真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理都非常簡便。

4.特設“碎片"處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。